% 1 - ορισμός. Τι είναι το Нернста - Эттингсхаузена эффект
Diclib.com
Διαδικτυακό λεξικό

Τι (ποιος) είναι Нернста - Эттингсхаузена эффект - ορισμός

Эффект Нернста-Эттингсгаузена; Эффект Нернста; Нернста эффект; Нернста — Эттингсхаузена эффект; Эффект Нернста — Эттингсхаузена; Поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена; Продольный эффект Нернста — Эттингсгаузена
  • 300px

Эффект Нернста — Эттингсгаузена         
Эффект Нернста — Эттингсгаузена, или поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена, — термомагнитный эффект, наблюдаемый при помещении полупроводника, в котором имеется градиент температуры, в магнитное поле. Данный эффект был открыт в 1886 году В.
Нернста - Эттингсхаузена эффект      

возникновение электрического поля в металлах (См. Металлы) и полупроводниках (См. Полупроводники) при наличии градиента (перепада) температуры и перпендикулярного к нему внешнего магнитного поля. Относится к числу термомагнитных явлений. Открыт в 1886 В. Нернстом и А. Эттингсхаузеном (A. Ettingshausen). Различают продольный Н. - Э. э. - изменение термоэлектродвижущей силы под действием магнитного поля, перпендикулярного градиенту температуры, и поперечный Н. - Э. э. (часто называют эффектом Нернста) - появление эдс в направлении, перпендикулярном магнитному полю и градиенту температуры. Н. - Э. э. обусловлен зависимостью времени релаксации (См. Релаксация) носителей тока при взаимодействии с решёткой от их энергии (или скорости) и поэтому чувствителен к механизму рассеяния носителей тока. Из результатов исследования Н. - Э. э. можно получить информацию о подвижности носителей тока и времени релаксации.

Лит.: Блатт Ф. Дж., Теория подвижности электронов в твёрдых телах, пер. с англ., М. - Л., 1963; Цидпльковский И. М., Термомагнитные явления в полупроводниках, М., 1960.

Э. М. Эпштейн.

Эффект Эттингсгаузена         
Эффе́кт Эттингсга́узена — эффект возникновения градиента температур в находящемся в магнитном поле проводнике, через который протекает электрический ток. Если ток протекает вдоль оси x, а магнитное поле направлено вдоль y, то градиент температур будет возникать вдоль z.

Βικιπαίδεια

Эффект Нернста — Эттингсгаузена

Эффект Нернста — Эттингсгаузена, или поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена, — термомагнитный эффект, наблюдаемый при помещении полупроводника, в котором имеется градиент температуры, в магнитное поле. Данный эффект был открыт в 1886 году В. Нернстом и А. Эттингсгаузеном. В 1948 году эффект в металлах получил своё теоретическое обоснование в работе Зондхаймера

Суть эффекта состоит в том, что в полупроводнике появляется электрическое поле E {\displaystyle \mathbf {E} } , перпендикулярное к вектору градиента температур T {\displaystyle \nabla T} и вектору магнитной индукции B {\displaystyle \mathbf {B} } , то есть в направлении вектора [ T , B ] {\displaystyle [\nabla T,\;\mathbf {B} ]} . Если градиент температуры направлен вдоль оси X {\displaystyle X} , а магнитная индукция — вдоль Z {\displaystyle Z} , то электрическое поле параллельно вдоль оси Y {\displaystyle Y} . Поэтому между точками a {\displaystyle a} и b {\displaystyle b} (см. рис.) возникает разность электрических потенциалов u {\displaystyle u} . Величину напряжённости электрического поля E y {\displaystyle E_{y}} можно выразить формулой:

E y = u d = q B z d T d x , {\displaystyle E_{y}={\frac {u}{d}}=q_{\bot }B_{z}{\frac {dT}{dx}},}

где q {\displaystyle q_{\bot }}  — так называемая постоянная Нернста — Эттингсгаузена, которая зависит от свойств полупроводника и может принимать как положительные, так и отрицательные значения. Например, в германии с удельным сопротивлением ~ 1 Ом/см при комнатной температуре, при B 10 3 {\displaystyle B\sim 10^{3}}  Гс и d T / d x 10 2 {\displaystyle dT/dx\sim 10^{2}}  К/см наблюдается электрическое поле E y 10 2 {\displaystyle E_{y}\sim 10^{-2}}  В/см. Значение постоянной q {\displaystyle q_{\bot }} , а следовательно и E y {\displaystyle E_{y}} , сильно зависят от температуры образца и от магнитного поля и при изменении этих величин могут даже изменять знак.

Поперечный эффект Нернста — Эттингсгаузена возникает по той же причине, что и эффект Холла, то есть в результате отклонения потока заряженных частиц силой Лоренца. Различие, однако, заключается в том, что при эффекте Холла направленный поток частиц возникает в результате их дрейфа в электрическом поле, а в данном случае — в результате диффузии.

Существенным отличием является также тот факт, что, в отличие от постоянной Холла, знак q {\displaystyle q_{\bot }} не зависит от знака носителей заряда. Действительно, при дрейфе в электрическом поле изменение знака заряда приводит к изменению направления дрейфа, что и даёт изменение знака поля Холла. В данном же случае поток диффузии всегда направлен от нагретого конца образца к холодному, независимо от знака заряда частиц. Поэтому направления силы Лоренца для положительных и отрицательных частиц взаимно противоположны, однако направление потоков электрического заряда в обоих случаях одно и то же.